سامسونگ فرآیند تولید نسل سوم تراشه‌های 14 نانومتری FinFET را توسعه می‌دهد

پس از انتشار نقشه‌ی راه سامسونگ برای توسعه‌ی تراشه‌های ۷ و ۱۰ نانومتری، این کمپانی اعلام کرده که در آینده‌ی نزدیک فرآیند توسعه‌ی نسل سوم تراشه‌های مبتنی بر لیتوگرافی ۱۴ نانومتری FinFET را تکمیل می‌کند.

موبنا -سامسونگ چندی پیش نقشه‌ی راه تولید تراشه‌های ۷ و ۱۰ نانومتری خود را منتشر کرد. حال این کمپانی اعلام کرده که در حال تکمیل فرآیند تولید تراشه‌های مبتنی بر لیتوگرافی ۱۴ نانومتری FinFET خود است. براساس اطلاعات ارائه شده، سامسونگ در نظر دارد تا با استفاده از این فناوری، طیف مشتریان خود را بیش از پیش افزایش دهد.

شاخه‌ی تولید تراشه‌های سامسونگ که Samsung LSI نام دارد، می‌تواند نسل سوم تراشه‌های ۱۴ نانومتری FinFET خود را تا پایان سال جاری میلادی وارد خط تولید کرده و محصولات خود را مبتنی بر این فناوری جدید راهی بازار کند. اطلاعات ارائه شده نشان از این دارد که تراشه‌های تولید شده با استفاده از این روش، انرژی الکتریکی کمتری مصرف کرده و هزینه‌ی تولید را نیز در مقایسه با نسل اول و دوم تراشه‌های ۱۴ نانومتری این کمپانی کاهش خواهد داد.

در جریان تولید نسل سوم تراشه‌های ۱۴ نانومتری این کمپانی، لایه‌های کمتری در پروسه‌‌ی تولید ویفر، استفاده خواهد شد که همین موضوع انرژی مصرفی در تراشه‌های جدید سامسونگ را بیش از پیش کاهش می‌دهد. سامسونگ اعلام کرده که در حال آزمایش ویفرهای تولید شده تحت این فناوری بوده و تاکنون هزاران ویفر را با این روش تولید کرده است. سامسونگ در نظر دارد تا با محصول جدید خود، همچنان به رقابت با تراشه‌های ۱۶ نانومتری تولید شده توسط TSMC بپردازد.

 منبع: زومیت| نویسنده: حسین خلیلی صفا

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

نه + نه =

دنبال کنید @ اینستاگرام